当社の低線膨張絶縁接着シートは、半導体パッケージの大面積化に伴う基板の反りを抑制させるために、CTEを10ppm/K以下に低減し(ガラスのCTEと同等水準)、樹脂の配合設計により硬化収縮も抑制しています。また半導体の発熱対策として熱伝導率2Wの放熱性を持つタイプもラインアップしています。低誘電絶縁接着シートについては、5G/6Gの高速通信用途に向けに伝送損失を低減させるため、誘電正接Dfを0.003以下に設計しています。
想定用途
2.xD/3Dパッケージ、高速伝送基板
低線膨張絶縁接着シート
特長
- 低CTE・高Tg、低CTE・放熱性を有するラインアップあり
- 狭ピッチでの良好な埋め込み性/追従性
| |
条件 |
単位 |
XE-51 |
XE-A50 |
| 特長 |
― |
― |
低CTE・高Tg |
低CTE・放熱 |
| ガラス転移温度(Tg) |
─ |
℃ |
265 |
227 |
| 弾性率(30℃) |
― |
GPa |
20 |
27 |
| 線膨張係数(CTE) |
α1 |
ppm |
9 |
17 |
| ピール強度 |
Cu箔35μmt |
kN/m |
1.5 |
1.4 |
| 熱伝導率 |
ASTM D5470 |
W/m・K |
― |
2 |
低誘電絶縁接着シート
特長
- 高速伝送用途やインターポーザ用途に適した誘電特性を有する
- 低い誘電正接(Df≒0.0025)
- 無溶剤ペーストタイプもラインアップ
| |
条件 |
単位 |
XF-91 |
| ガラス転移温度(Tg) |
― |
℃ |
180 |
| 弾性率(30℃) |
─ |
GPa |
12 |
| 線膨張係数(CTE) |
α1 |
ppm |
31 |
| ピール強度 |
Cu箔35μmt |
kN/m |
0.7 |
| 比誘電率Dk |
10GHz |
― |
3.03 |
| 誘電正接Df |
10GHz |
― |
0.0025 |
ボンディングシート
特長
- 各種基材と強接着性(CCL、銅箔、ガラス 等)
- 低反り、狭Gap埋め込み、凹凸追従性
- 耐湿信頼性良好(HAST)
| |
条件 |
単位 |
アデカフィルテラ A-22 |
| ガラス転移温度(Tg) |
TMA |
℃ |
174 |
| 線膨張係数(CTE) |
TMA,40~150℃ |
ppm |
27 |
| 弾性率 |
JIS K7162-5A |
GPa |
11 |
| 比誘電率Dk |
10GHz |
― |
3.19 |
| 誘電正接Df |
10GHz |
― |
0.0078 |
| 接着性(銅,ガラス)
Peel strength |
JIS C6481 |
kN/m |
>1.4 |
| 表面抵抗 |
C-96/20/65
+D-2/100 |
Ω |
>1E+13 |